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半导体工程师Tom Wassick在AMD最好的新发现GPU之一RX 7900 XT上发现了他认为是3D V-Cache功能。这位工程师用红外成像技术观察了7900 XT的乎也缓存芯片内部，发现了AMD的新发现Zen 3和Zen 4架构上使用的相同类型的3D V-Cache连接点。瓦西克在MCD芯片上发现了这些连接点。乎也缓存

Wassick不能说这些TSV连接点是新发现否会专门用于缓存目的，但是乎也缓存AMD目前没有已知的计划将其3D封装能力扩展到垂直堆叠的缓存之外。这让人觉得这些连接点将被用于某种3D缓存，新发现以提高游戏性能和/或计算性能。乎也缓存

这一发现是新发现在许多未经证实的传言之后，即AMD将在其GPU中加入3D V-Cache技术。乎也缓存

到目前为止，新发现3D V-Cache已经在AMD的乎也缓存Ryzen和EPYC CPU上取得了巨大成功。该技术依赖于混合粘合技术，新发现在Ryzen或EPYC计算芯片的乎也缓存顶部融合额外的64MB板状缓存，以增加L3缓存容量。新发现目前，这种3D堆叠技术使AMD的台式机Ryzen 9 7900X3D和7950X3D部件的L3缓存量增加了一倍，而Ryzen 7 5800X3D、7800X3D消费者芯片和EPYC Milan-X服务器处理器的L3缓存量增加了两倍。这项技术带来的性能优势令人印象深刻，3D-V-缓存芯片在大量受益于大块缓存的应用中获得了整整一代的性能提升。一个很好的例子是Ryzen 7 5800X3D，我们看到游戏性能比Ryzen 9 5900X提高了28%，比Core i9-12900KS的性能快7%。

AMD的服务器对应产品甚至更令人印象深刻，AMD和微软的Milan-X基准测试显示，与标准的Milan部件相比，性能提高了50%以上。然而，这项技术并不能神奇地随意提高性能。只有对缓存敏感的工作负载才能看到这种类型的行为。

你还能看到什么？一个线性阵列的 “斑点”，看起来非常像X3D的隔离区，而且是在相同的17-18微米间距上。他们会不会是在考虑堆叠的MCD功能（也可能是其他东西）？

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我们不知道3D V-Cache在GPU应用中如何运作。但是在理论上，3D V-Cache的主要原则应该仍然适用。拥有更多的缓存容量将能够更快地处理对缓存敏感的工作负载，因为GPU必须减少到其较慢的GDDR6内存的次数。

我们已经看到了AMD在RX 6000系列中的无限缓存的一个很好的例子，AMD能够使用较慢的GDDR6内存，并保持与Nvidia的RTX 30系列GPU相同的性能，其特点是耗电的GDDR6X内存，由于无限缓存保持GPU的数据。

然而，我们不知道同样的行为是否会适用于3D V-Cache。这将完全取决于AMD的GPU架构对额外的缓存容量有多敏感，以及有多少应用会受益。

AMD将不得不处理的另一个问题是散热问题。我们已经在AMD的Ryzen X3D处理器上广泛地看到了这个问题，额外的高速缓存阻碍了散热，导致CPU频率降低，同时温度升高（与非X3D部分相比）。AMD很有可能在3D V-Cache GPU上处理同样的问题，并被迫降低时钟速度以保持温度的控制。

尽管如此，看到AMD可能正在研究在其GPU上添加3D-Vache的想法，这很酷。我们可能正在寻找AMD的下一个银弹，以 “神奇地 ”提高游戏性能。

(责任编辑：焦点)