SK海力士开发出238层NND闪存芯片明年上半年量产-旁若无人网

SK海力士开发出238层NND闪存芯片明年上半年量产

[热点] 时间：2025-07-08 17:43:33 来源：旁若无人网作者：探索点击：193次

新浪科技讯北京时间8月3日消息，海力韩国SK海力士（SK Hynix）已经开发出238层NAND闪存芯片，士开闪存上半它可以用于PC存储设备、发出智能手机和服务器。层N产上周美光也开始出货232层NAND闪存芯片。芯片

SK海力士宣称新的明年238层芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度相比上代产品提升50%，年量读取数据消耗的海力能量降低21%。SK海力士准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。士开闪存上半

英特尔NAND业务被SK海力士收购后更名为Solidigm，发出它与SK海力士合计占有全球NAND闪存市场的层N产18%，仅次于三星的芯片35.3%和Kioxia的18.9%。（星海）

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