英特尔与Brookfield达成300亿美元协议 共同扩产芯片厂

(INTC.US)发布公告称，英特与加拿大Brookfield基础设施(BIP.US)签署了业内首份半导体联合投资项目（SCIP）协议，成亿厂双方将共同出资300亿美元用来建设亚利桑那州钱德勒市的美元芯片厂扩产计划，预期将在年底完成出资。协议芯片

英特尔表示，共同该协议将有助于加速其IDM 2.0战略。扩产根据该协议，英特英特尔将为其此前宣布的成亿厂亚利桑那州奥科蒂略(Ocotillo)园区的扩张提供51%的资金，Brookfield基础设施将支付剩余49%的美元资金。英特尔将保留该工厂的协议芯片多数所有权和运营控制权。

英特CFO David Zinsner表示，共同这是扩产基于美国最近通过的《芯片法案》(CHIPS Act)，该法案为扩大国内半导体生产提供了520亿美元的英特补贴和补助。

Zinsner解释说，成亿厂“半导体制造业是美元世界上资本最密集的行业之一，英特尔大胆的IDM 2.0战略需要一种独特的融资方式。”“我们与Brookfield的协议是我们行业的第一次，我们希望这将使我们增加（财务）灵活性，同时保持我们的资产负债表上，创建一个更分散和更有弹性的供应链。”

该交易预计将于2022年底完成。